Mae tâp tymheredd uchel PI (polyimide) yn seiliedig ar ffilm polyimide-a gynhyrchir trwy gyfuno dianhydrid pyromellitig ac ether diaminodiphenyl mewn hydoddydd pegynol iawn ac yna imidization. Mae wedi'i orchuddio ar un ochr neu'r ddwy ochr â gludiog rhydd o silicon neu silicon i ffurfio'r tâp gorffenedig. Yn nodweddiadol tua 0.045mm o drwch, mae ar gael mewn lliwiau amrywiol fel ambr, du, a gwyrdd. Mae'n cynnig cryfder adlyniad o tua 450-700g fesul 25mm, ystod gwrthiant tymheredd o tua -10 gradd i 290 gradd , a chryfder croen o tua 3-6N. Fe'i nodweddir gan wrthwynebiad tymheredd uchel, inswleiddio trydanol, ymwrthedd ymbelydredd, a gwrthiant i asidau ac alcalïau. Nid yw tâp PI Kehongjian yn gadael unrhyw weddillion gludiog wrth ei dynnu ac nid yw'n achosi unrhyw niwed i'r cydrannau electronig gwarchodedig.

Defnyddir tâp tymheredd uchel PI yn gyffredin ar gyfer cynhyrchion electronig sydd angen eu hamddiffyn yn ystod prosesau sy'n ymwneud â thymheredd tua 260 gradd; mae ymhlith y mathau o dapiau tymheredd uchel sy'n gallu gwrthsefyll gwres sydd ar gael. Mae cymwysiadau cyffredin yn cynnwys cuddio "bysedd aur" yn ystod sodro tonnau neu sodro PCBs, yn ogystal ag amddiffyniad yn ystod prosesau lefelu aer poeth a sodr. Fe'i defnyddir hefyd ar gyfer inswleiddio mewn batris lithiwm a moduron, lapio ymyl ar gyfer celloedd batri, a rhwymo coiliau trawsnewidyddion; yn yr achosion hyn, dylid storio'r tâp mewn amgylchedd sych, tymheredd ystafell a'i gadw i ffwrdd o gysylltiad â hylifau eraill.

Er y gellir defnyddio tâp tymheredd uchel PI hefyd ar gyfer amddiffyniad dros dro yn ystod prosesau lled-ddargludyddion megis paentio ac electroplatio, mae tâp tymheredd uchel PET yn aml yn ddigonol ar gyfer y tasgau hyn ac mae'n dod am gost is. Felly, dylid dewis y tâp tymheredd uchel mwyaf priodol yn seiliedig ar yr amgylchedd cymhwysiad penodol.